點(diǎn)擊圖片查看大圖
國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可測(cè)項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces
集電極-發(fā)射極飽和電壓Vce sat
集電極電流Ic，集電極截止電流Ices
柵極漏電流Iges，柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
柵極電阻Rg
電容測(cè)量
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
普賽斯國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：
單臺(tái)Z大3000V輸出；
單臺(tái)Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大4000A；
10us的超快電流上升沿；
同步測(cè)量；
國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試；詳詢一八一四零六六三四七六
產(chǎn)品參數(shù)
| 項(xiàng)目 | 參數(shù) | |
| 集電極-發(fā)射極 | Z大電壓. | 3000V |
| Z大電流 | 1000A | |
| 精度 | 0.10% | |
| 漏電流測(cè)試量程 | 1uA~100mA | |
| 柵極-發(fā)射極 | Z大電壓. | 300V |
| Z大電流 | 1A(直流)/10A(脈沖) | |
| 精度 | 0.10% | |
| Z小電壓分辨率 | 30uV | |
| Z小電流分辨率 | 10pA | |
普賽斯國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)3KV,電流可高達(dá)4KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類(lèi)型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，pA級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊，適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。
1、國(guó)產(chǎn)自主研發(fā)
技術(shù)雄厚，多項(xiàng)磚利，自主可控
2、可定制化方案
聚焦鮮進(jìn)器件，提供成熟可落地定制化方案
3、對(duì)標(biāo)進(jìn)口
國(guó)貨精品，品質(zhì)保障，對(duì)標(biāo)進(jìn)口產(chǎn)品